Закладки
Сравнение
Ваша корзина пуста!
Корзина
Код товара: MZ-V9S1T0BW
Производитель
Samsung
9598₽
Без НДС: 9598₽
Гарантия производителя
Оплата по QR-коду
Акции, скидки, подарки

Основные характеристики

DRAM буфер
Да
Максимальная скорость записи, МБ/с
6300
Максимальная скорость чтения, МБ/с
7150
Назначение
Клиентские ПК
Номинальный объем, ГБ
1000
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.
1500000
Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ
600
Тип интерфейса
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Тип памяти
V-NAND
Форм-фактор накопителя
M.2 2280
Отзывов: 0
Оставить отзыв о товаре можно только после его покупки. Так мы формируем честный рейтинг.

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0
Captcha

Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!

Похожие товары