Характеристики
DRAM буфер
ДаTBW твердотельного накопителя, Тб.
1200Интерфейс
PCIe 4.0 x4 (NVMe)Назначение
Клиентские ПКОбъём накопителя, Гб
2000Скорость последовательного чтения, Мб./сек.
7250Скорость последовательной записи, Мб./сек.
6300Среднее число операций произвольного чтения в секунду, IOPS
1000000Среднее число операций произвольной записи в секунду, IOPS
1350000Средняя наработка на отказ, часов
1500000Тип памяти
V-NANDФорм-фактор
M.2 2280Габариты и вес
Габариты (ДхШхВ)
10×14×2 смВес
0.15 кгОтзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Похожие товары
