Закладки
Сравнение
Ваша корзина пуста!
Корзина
Код товара: MZ-V9S2T0BW
Производитель
Samsung
14784₽
Без НДС: 14784₽
Гарантия производителя
Оплата по QR-коду
Акции, скидки, подарки

Основные характеристики

DRAM буфер
Да
Максимальная скорость записи, МБ/с
6300
Максимальная скорость чтения, МБ/с
7250
Назначение
Клиентские ПК
Номинальный объем, ГБ
2000
Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS
1000000
Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS
1350000
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.
1500
Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ
1200
Тип интерфейса
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Тип памяти
V-NAND
Форм-фактор накопителя
M.2 2280
Отзывов: 0
Оставить отзыв о товаре можно только после его покупки. Так мы формируем честный рейтинг.

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0
Captcha

Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!

Похожие товары