Основные характеристики
DRAM буфер
ДаМаксимальная скорость записи, МБ/с
13300Максимальная скорость чтения, МБ/с
14700Модель
Samsung 9100 PROНазначение
Клиентские ПКНоминальный объем, ГБ
1000Особенности
расширенный температурный диапазонСкорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS
1850000Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS
2600000Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.
1500000Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ
600Тип интерфейса
PCIe 5.0 x4Тип памяти
V-NANDФорм-фактор накопителя
M.2 2280Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!
Похожие товары
