Модуль памяти Samsung 16GB DDR5 SODIMM 5600MHz, M425R2GA3BB0-CWM

Основные характеристики

• CAS Latency (CL)
  40
• RAS to CAS Delay (tRCD)
  46
• Row Precharge Delay (tRP)
  46
• Вид поставки
  OEM
• Высота, мм
  30
• Игровая (для геймеров)
  Нет
• Количество контактов
  262
• Количество модулей в комплекте, шт
  1
• Количество ранков
  1
• Количество чипов на модуле, шт
  8
• Комплект поставки
  Модуль памяти
• Модель
  M425R2GA3BB0-CWM
• Назначение
  для ноутбуков
• Наличие радиатора
  Нет
• Напряжение питания, В
  1.1
• Низкопрофильная
  Нет
• Объем одного модуля, ГБ
  16
• Поддержка ECC
  Нет
• Подсветка
  Нет
• Пропускная способность, Мб/с
  44800
• Серия
  M425
• Стандарт памяти
  DDR5
• Суммарный объем, ГБ
  16
• Тип
  Модуль памяти
• Тип памяти
  Unbuffered
• Форм-фактор
  SODIMM
• Ширина, мм
  69.6
• Эффективная частота, МГц
  5600