









Характеристики
DRAM буфер
НетTBW твердотельного накопителя, Тб.
110Интерфейс
PCIe 4.0 x4 (NVMe)Назначение
Клиентские ПКОбъём накопителя, Гб
512Скорость последовательного чтения, Мб./сек.
4700Скорость последовательной записи, Мб./сек.
1700Средняя наработка на отказ, часов
1500000Тип памяти
3D NANDФорм-фактор
M.2 2280Габариты и вес
Габариты (ДхШхВ)
10.5×1.5×13 смВес
0.01 кгОтзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Похожие товары