Характеристики
DRAM буфер
НетTBW твердотельного накопителя, Тб.
450Интерфейс
PCIe 3.0 x4 (NVMe)Назначение
Клиентские ПКОбъём накопителя, Гб
512Скорость последовательного чтения, Мб./сек.
3200Скорость последовательной записи, Мб./сек.
3000Среднее число операций произвольного чтения в секунду, IOPS
400000Среднее число операций произвольной записи в секунду, IOPS
700000Средняя наработка на отказ, часов
2000000Тип памяти
3D TLCФорм-фактор
M.2 2280Габариты и вес
Габариты (ДхШхВ)
2.5×0.3×8.2 смВес
0.008 кгОтзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Похожие товары
