Характеристики
DRAM буфер
ДаTBW твердотельного накопителя, Тб.
300Интерфейс
SATA IIIНазначение
Клиентские ПКОбъём DRAM буфера
512Объём накопителя, Гб
500Скорость последовательного чтения, Мб./сек.
560Скорость последовательной записи, Мб./сек.
530Среднее число операций произвольного чтения в секунду, IOPS
98000Среднее число операций произвольной записи в секунду, IOPS
88000Средняя наработка на отказ, часов
1500000Тип памяти
MLCФорм-фактор
2.5"Модель
Samsung 870 EVOГабариты и вес
Габариты (ДхШхВ)
14.2×2×9.8 смВес
0.09 кгОтзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Похожие товары
