Характеристики
DRAM буфер
ДаTBW твердотельного накопителя, Тб.
2400Интерфейс
PCIe 4.0 x4 (NVMe)Назначение
Клиентские ПКОбъём DRAM буфера
4096Объём накопителя, Гб
4000Скорость последовательного чтения, Мб./сек.
7450Скорость последовательной записи, Мб./сек.
6900Среднее число операций произвольного чтения в секунду, IOPS
1400000Среднее число операций произвольной записи в секунду, IOPS
1550000Средняя наработка на отказ, часов
1500000Тип памяти
V-NANDФорм-фактор
M.2 2280Модель
Samsung 990 PROГабариты и вес
Габариты (ДхШхВ)
14×10×2 смВес
0.02 кгОтзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Похожие товары
