Основные характеристики
DRAM буфер
ДаКэш-память
1000Максимальная скорость записи, МБ/с
6900Максимальная скорость чтения, МБ/с
7450Модель
Samsung 990 PROНазначение
Клиентские ПКНоминальный объем, ГБ
4000Объём DRAM буфера
4096Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS
1400000Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS
1550000Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.
1500Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ
2400Тип интерфейса
PCIe 4.0 x4 (NVMe)Тип памяти
V-NANDФорм-фактор накопителя
M.2 2280Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!
Похожие товары
