Характеристики
DRAM буфер
НетTBW твердотельного накопителя, Тб.
300Интерфейс
PCIe 4.0 x4 (NVMe)Назначение
Клиентские ПКОбъём накопителя, Гб
500Скорость последовательного чтения, Мб./сек.
4800Скорость последовательной записи, Мб./сек.
4000Среднее число операций произвольного чтения в секунду, IOPS
600000Среднее число операций произвольной записи в секунду, IOPS
300000Средняя наработка на отказ, часов
2000000Тип памяти
3D NANDФорм-фактор
M.2 2280Габариты и вес
Габариты (ДхШхВ)
1.7×11.5×8 смОтзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Похожие товары
