





Характеристики
DRAM буфер
НетTBW твердотельного накопителя, Тб.
300Интерфейс
PCIe 4.0 x4 (NVMe)Назначение
Клиентские ПКОбъём накопителя, Гб
512Скорость последовательного чтения, Мб./сек.
7200Скорость последовательной записи, Мб./сек.
4400Средняя наработка на отказ, часов
1000000Тип памяти
3D NANDФорм-фактор
M.2 2280Габариты и вес
Габариты (ДхШхВ)
6×1.5×10 смВес
0.02 кгОтзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Похожие товары