Характеристики
DRAM буфер
НетTBW твердотельного накопителя
300 ТбайтИнтерфейс
PCIe 4.0 x4 (NVMe)Объём накопителя
500 ГбайтСкорость последовательного чтения
4800 Мбайт/cСкорость последовательной записи
4000 Мбайт/cСредняя наработка на отказ
2000000 чТип памяти NAND
3D NANDФорм-фактор накопителя
M.2 2280Габариты и вес
Габариты (ДхШхВ)
1.7×11.5×8 смОтзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Похожие товары
