Характеристики
DRAM буфер
НетTBW твердотельного накопителя
300 ТбайтИнтерфейс
PCIe 3.0 x4 (NVMe)Объём накопителя
512 ГбайтСкорость последовательного чтения
2400 Мбайт/cСкорость последовательной записи
1800 Мбайт/cСредняя наработка на отказ
2000000 чТип памяти NAND
3D TLCФорм-фактор накопителя
M.2 2280Габариты и вес
Габариты (ДхШхВ)
2.5×0.3×8.2 смОтзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Похожие товары
